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道康宁® CVD前驱物是一种用途广泛，高性能的材料。 设计用于PECVD处理，以沉积薄膜电介质。该材料可用于铜质双重镶嵌（copper
dual damascene）和铝质IC制程（aluminum IC
fabrication）。这种前驱物是无色、耐腐蚀、不自燃的有机硅材料，能够满足半导体行业对材料安全性与纯度的要求。
Z3MS, Z4MS, ZTOMCATS和Z2DM 通过我们的战略伙伴 Air
Products 供货。
| 类型: 多用途的CVD前驱物 |
| 物理形式: 硅源特种气体 |
| 特殊属性: 高纯度；半导体级 |
| 可考虑的应用范围: 由硅－碳化物(SiC:H)，硅－碳氧化物(SiOC:H)或硅－氮化物(SiCN:H)形成的薄膜电介质组成。
典型薄膜应用包括：铜扩散阻碍层（Copper diffusion barrier）蚀刻（Etch stop）硬质掩膜（Hard
mask）低K值层间介电（interlevel dielectric）填缝 （Gap fill）钝化（Passivation） |
| 技术资料 | 下载产品资料 PDF | 下载产品手册 |
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| 类型: 多用途的CVD前驱物 |
| 物理形式: 硅源特种液体 |
| 特殊属性: 高纯度；半导体级 |
| 可考虑的应用范围: 由硅－碳化物(SiC:H)，硅－碳氧化物(SiOC:H)或硅－氮化物(SiCN:H)形成的薄膜电介质组成。
典型薄膜应用包括：铜扩散阻碍层（Copper diffusion barrier）蚀刻（Etch stop）硬质掩膜（Hard
mask）低K值层间介电（interlevel dielectric）填缝（Gap fill）钝化（Passivation） |
| 技术资料 | 下载产品资料PDF | |
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| 类型: 多用途的CVD前驱物 |
| 物理形式: 硅源特种液体 |
| 特殊属性: 高纯度；半导体级 |
| 可考虑的应用范围: 由硅－碳氧化物(SiOC:H)形成的薄膜电介质组成。 典型薄膜应用包括：低K值层间介电（interlevel
dielectric）。 |
| 技术资料 | 下载产品资料 PDF | |
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| 类型: 多用途的CVD前驱物 |
| 物理形式: 硅源特种液体 |
| 特殊属性: 高纯度；半导体级 |
| 可考虑的应用范围: 由硅－碳氧化物(SiOC:H)形成的薄膜电介质组成。 典型薄膜应用包括：低K值层间介电（interlevel
dielectric）。 |
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